【SiCパワーデバイスのウエハプロセス開発】◆在宅勤務可◆三菱電機G#熊本

【SiCパワーデバイスのイオン注入または拡散工程のプロセス開発を担当／在宅勤務可】

■業務内容:

・SiCパワーデバイスのイオン注入または拡散工程のプロセス開発を担当。

・プロセスインテグレーション開発部門と連携しながら、次世代SiCデバイスのコア技術を構築する。

■業務詳細

SiCパワーデバイスの次世代プロセス開発として、

イオン注入工程または拡散工程のプロセス条件構築、評価、改善を担当いただきます。

(1) 既設装置を用いた評価・データ分析

a) 既存のイオン注入装置・拡散炉を用いた試作評価

b) 電気特性、プロセスデータ、不良解析結果などの整理・分析

c) 評価結果に基づく課題抽出、プロセス条件の改善検討

(2) 新規装置・新規プロセスの立ち上げ

a) 新規イオン注入装置・拡散炉の装置仕様確認、搬入、立ち上げ対応

b) 装置メーカーや社内関連部門と連携した条件出し、評価、量産適用検証

c) 安定稼働に向けた作業手順、管理項目、工程条件の整備

(3) 次世代SiCデバイス向けウエハプロセス開発

a) 次世代SiCデバイスに求められるイオン注入工程・拡散工程のプロセス条件構築

b) デバイス特性向上、歩留まり改善、量産性向上に向けたプロセス最適化

c) プロセスインテグレーション開発部門や製造部門と連携した課題解決、開発テーマの推進

入社後は、既存プロセスの評価・分析や新規装置立ち上げを通じて工程理解を深めていただき、将来的には担当工程のプロセス開発を主体的に推進し

、次世代SiCパワーデバイスの実用化・量産化に貢献いただくことを期待しています。

■業務のやりがい、魅力

パワーデバイスはエアコン・自動車などの身近な製品から電力・電鉄などのインフラまで幅広い分野に利用されており、省エネによる地球温暖化スト

ップに貢献できる職務です。当社のSiCデバイスは業界トップクラスの性能を有し、世界トップクラスの性能に挑戦することができます。デバイスを

考慮したウエハプロセス開発を通じてウエハプロセスだけでなくデバイスに関わるスキルも身につきます。

・半導体業界での5年以上のウエハプロセス要素技術業務の経験

・イオン注入プロセス業務経験

・拡散プロセス業務経験

・パワーデバイス業界での経験

・ウエハプロセス開発経験

・装置メーカにて、イオン注入装置、拡散炉の業務経験(装置構造、動作原理を把握されている方)

大学卒業以上

想定年収:450万円〜900万円

月給:270,000円〜450,000円

月額(基本給):270,000円〜450,000円

※年齢・経験・スキル等に基づき、当社規定により決定します。

労働時間区分:フレックスタイム制(フルフレックス)

標準的な勤務時間帯:8:30〜17:00

休憩:60分

時間外労働:有

残業時間 :月平均25時間／繁忙期45時間

完全週休2日制(土日祝)

年間有給休暇:4日〜20日(下限日数は、入社直後の日数となります)

■休日:GW、夏季、年末年始など(会社カレンダーに準じる)

■有給休暇:入社日により日数変動(次年度より20〜25日)

■特別休暇:2〜4日(30歳、40歳、50歳到達年)

■産休・育休制度あり

通勤手当:有 会社規定に基づき支給

住宅手当:有 条件により、寮・社宅・家賃補助等の対応有

家族手当:有 子供(22歳未満)14000円／配偶者9000円

厚生年金基金:有

健康保険:有

厚生年金:有

雇用保険:有

労災保険:有

寮社宅:有 条件により、寮・社宅・家賃補助等の対応有

退職金制度:有 退職金前払制度選択可、確定拠出年金制度あり

定年:60歳

教育制度/資格補助:階層別研修、職能別研修 、国際化研修、技術研修、資格取得支援 等

■選考フロー

書類選考→1次面接→SPI+最終面接→内定

※オンライン面接実施可

面接回数: 2回

筆記試験: あり