【築地】FAE(半導体)※最先端技術に携われる/年休125日/平均残業20H程度【プライム上場G】

年収550〜700万円 東京都中央区 正社員

リョーサン菱洋株式会社

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募集要項

企業名リョーサン菱洋株式会社
職種機械設計
想定年収年収550〜700万円
雇用形態正社員
勤務地東京都中央区築地一丁目12番22号コンワビル
年間休日125日
当サイト掲載日2026年10月18日

仕事内容

〜半導体の知見ある方歓迎!/SiC・GaNなど次世代パワー半導体に携わる/顧客の製品開発を技術面から支援/設計・評価から提案まで一貫して関

われる成長ポジション〜

■ 業務内容

パワー半導体のFAE(Field Application Engineer)として、営業部門および仕入先メーカーと連携しながら、お客様の技術課題の解決と製品採用の促

進を担います。単なる製品説明にとどまらず、アプリケーションに応じた最適な技術提案・評価支援を通じて、顧客の開発を支援するポジションです

。

■ 主な業務

・お客様・仕入先メーカーとの技術ミーティング(訪問・Web)

・技術問い合わせ対応およびメーカーへのエスカレーション

・営業チームとの案件進捗共有

・提案資料・技術資料(アプリケーションノート等)の作成・更新

・回路設計・電源設計のサポート(シミュレーション/実機評価)

・不具合発生時の解析・レポート作成(波形測定など)

・展示会・セミナーでの製品紹介、技術プレゼン

■開発・評価環境

シミュレータ、オシロスコープ、電源評価ボード等

■魅力点

・最先端技術に携われる

SiCやGaNなどの次世代パワー半導体を用いたソリューション提案に関わり、自動車・産業機器・エネルギー分野など成長市場の最前線で活躍できま

す。

・お客様の製品開発に直結する貢献

FAEとして設計段階から深く関わり、技術提案や課題解決を通じてお客様製品の完成に直接寄与できるやりがいがあります。

・幅広いスキルの習得

回路設計や評価スキルだけでなく、お客様対応力・提案力・プロジェクトマネジメント力も磨け、技術とビジネス両面で成長可能です。

・グローバルな環境での活躍

海外の開発拠点や工場を持つグローバルなお客様、仕入先メーカーの海外設計/当社海外営業拠点とのやり取りが必要となり、英語力や異文化コミュニ

ケーション力も発揮・習得できます。

応募資格・必須要件

・半導体の知見(MOSFET、IGBT、またはSiC/GaNデバイスの基礎的な理解)

歓迎する経験・スキル

・アナログ回路またはパワーエレクトロニクス回路の設計・評価経験

・モータ制御、インバータ回路、DCDCコンバータなどの設計経験

学歴

大学卒業以上

給与

想定年収:550万円〜700万円

月給:300,000円〜410,000円

月額(基本給):300,000円〜410,000円

※上記はあくまでも想定モデル年収であり、経験・能力により決定します。

■賞与:年2回

勤務時間

就業時間:9:00〜17:30(所定労働時間:7時間30分)

休憩:60分(12:00〜13:00)

時間外労働:有

残業20時間/月程度

休日・休暇

完全週休2日制(土日祝)

年間有給休暇:15日〜25日(下限日数は、入社直後の日数となります)

年末年始休暇、慶弔休暇、有給休暇

待遇・福利厚生

通勤手当:有

健康保険:有

厚生年金:有

雇用保険:有

労災保険:有

社会保険完備

退職金制度:有

定年:60歳

教育制度/資格補助:■OJT、階層別研修制度、資格取得支援制度、選抜型リーダー研修制度、各部門別研修制度 など

選考について

■選考フロー:

書類選考→1次→2次

※面接官、面接回数は変更になる場合があります。

面接回数: 2回

筆記試験: あり

掲載内容は求人企業から提供された情報にもとづきます。応募前に最新の条件をご確認ください。

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