<UIターン歓迎>【刈谷市／豊田市】次世代パワー半導体素子のデバイス開発／フレックス<セミコン>●

■業務内容

電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子(Si-IGBT、SiC-MOSFET、GaNーHEMT)の企画／開発／設計業務に携わってい

ただきます。

■具体的には

◇製品企画／仕様検討

・技術ニーズ調査

・技術動向調査

・目標仕様調整および設計

◇デバイス開発・設計

・デバイスシミュレーション

・構造検討およびレイアウト設計

・素子試作評価、分析解析、良品率改善

・素子検査、評価と素子開発品へのフィードバック

■やりがい

・パワー半導体のデバイス開発に関するスキルアップが可能。特に、試作ラインを活用したウェハ試作・特性評価を通じて、机上検討だけでは得られ

ない実践的なモノづくり力が身につきます。また、デバイスシミュレーション、構造設計、試作・評価まで一連の開発に携わりながら、製品全体を見

据えた開発経験を積めます。

・素子開発部門にとどまらず、パワーモジュール開発部署、インバータ開発部署、量産工場など幅広い関係者と密接に連携しながら開発を推進します

。前工程から後工程まで一気通貫で開発に携わり、多様な専門性を持つエンジニアと協働しながら製品価値を高めていく経験を積めます。

・魅力あるパワー半導体の企画・開発を通じて、世界中のお客様へ高品質な製品を提供しています。電動車向けだけでなく産業機器分野など幅広い用

途への展開を見据えながら、地球温暖化の抑制や省エネルギー社会の実現に貢献できます。また、デバイス単体ではなくモジュール・システムまで見

据えた開発に携われることも当社ならではの魅力です。

■ミッション

パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュートラルを実現するため魅力ある商品を企画し提供しています。そ

の中で、私たち第1、第2開発室では、世界中に高品質なパワー半導体をお届けするべくSi, SiC,GaNパワー半導体素子の企画、開発、設計、製品化を

ミッションに取り組んでおり、社内外から高い期待が寄せられています。年齢や役職に関係なくフラットに議論・相談を行うオープンなカルチャーの

組織です。

■職場情報

◇在宅勤務の相談は可能です。

◇キャリア入社比率:約30%

パワーデバイス技術部には、民生半導体メーカーや産業機器メーカーからの入社者も多く在籍しています。

・半導体素子の設計および開発経験または知識をお持ちの方(目安:3年以上)

※パワー半導体の経験有無は問いません

・パワー半導体に関する知識をお持ちの方

・プロジェクトマネージャーまたはプロジェクトリーダーの経験

高等専門学校卒業以上

想定年収:550万円〜1430万円

月給:330,000円〜800,000円

月額(基本給):330,000円〜800,000円

■賞与:年2回(6.3か月分)

■昇給:年1回

<年収例>1残業代含まず、2残業20h/月の場合

26歳:1610万円2680万円

29歳:1690万円2770万円

32歳:1790万円2880万円

35歳:1910万円21000万円

40歳:1390万円 ※マネジメント職の場合

労働時間区分:フレックスタイム制

コアタイム:有 10:10〜14:25

標準的な勤務時間帯:8:40〜17:40

休憩:60分

時間外労働:有

※上記は標準労働時間です。

完全週休2日制・会社カレンダーによる

年間有給休暇:10日〜20日(下限日数は、入社半年経過後の日数となります)

土曜、日曜、GW・夏季・年末年始休暇(各10日程度)、その他 年次有給休暇、やすらぎ休暇、リフレッシュ休暇、子の看護休

暇、介護休暇、ボランティア休暇など

通勤手当:有 ※会社規定による

住宅手当:有 ※会社規定による

家族手当:有 福利厚生その他欄参照

健康保険:有

厚生年金:有

雇用保険:有

労災保険:有

寮社宅:有 独身寮、社宅あり

退職金制度:有

定年:60歳

教育制度/資格補助:■OJT中心

■階層別教育、職能別教育、職場別教育、自己啓発支援(資格取得支援制度、社会人大学院派遣制度など)

■選考フロー

書類選考→1次面接(選考部門担当)→最終面接(役員・人事)→内定

面接回数: 2回

筆記試験: あり