【三重/いなべ】プロセス技術開発(パワー半導体/製品、工程、設備設計)<セミコン>

■職務内容

パワー半導体向けウェハ製造に向けた要素技術及びプロセス技術設計、それに関わる生産技術開発に携わっていただきます。

具体的には以下のいずれかの業務に携わっていただきます。

・パワー半導体向け単結晶成長技術の開発及び製品仕様・プロセス設計

・単結晶製造設備制御技術開発

・ウェハ製造のための、生産技術開発

・ウェハ製造に関わる設備設計及び工程設計

・ウェハ製品／製造工程品質保証及び管理

・社内外関連部署、仕入先、顧客との折衝

・開発技術の権利化

■組織ミッション:

SiCプロジェクト室は24年4月に新たに発足した部署であり、パワー半導体(SiC)に関わるプロセス技術開発、製品設計、生産技術開発、設備・工程

設計を進めており、社内から高い期待が寄せられています。慣習や年齢、役職にとらわれず一人ひとりが能力を発揮できる組織風土です。

■組織構成:

20代〜50代といった年齢層、開発、設計、製造といった経験をもつメンバーで構成された室となっています。半導体だけでなく、素材・化学分野から

の転職者もおり、旧職の知見や経験を生かして活躍されています。

■業務のやりがい・魅力:

・要素技術開発から製品、設備、工程設計までの一気通貫で多岐な業務を経験できます

・自分の作ったものが顧客・社会課題解決に貢献しているというやりがいが感じられます

・システム、素子設計部署との連携を通じて、半導体分野の幅広い知識、技術のスキルアップができます

・国内外の拠点を活用したグローバルな事業を牽引することができます

・社内外の専門家との連携を通じて、自身の専門性を向上させることができます

■募集背景

カーボンニュートラル社会を背景に車両の電動化市場拡大、それに伴うパワー半導体への市場ニーズも拡大しています。SiCプロジェクト室としては

、その中核となるSiC半導体に対して、素子、システム、OEMからのニーズを対応した、ウェハの要素技術開発、製品設計、工程設計を一気通貫した

業務を担っています。

市場拡大のタイミングをしっかり掴まえて、社会の電動化に貢献できる高品質なSiC半導体を市場に供給するための技術確立、製品化を一緒に牽引し

てくれる開発・設計・製造分野での仲間を募集しています。

■必須要件:

◇以下いずれかのご経験をお持ちの方

・半導体ウェハの製品設計、評価経験

・無機材料プロセス開発、工程設計経験

・結晶成長技術開発、生産技術開発及び設計の経験

・半導体ウェハの工程設計、生産技術経験

・半導体装置(結晶成長、加工、エピ)開発、設計経験

※日本語能力検定N1レベル以上目安

#幅広い世代活躍

大学卒業以上

想定年収:600万円〜1250万円

月給:280,000円〜640,000円

月額(基本給):280,000円〜640,000円

■賞与:年2回(6.3か月分)

■昇給:年1回

<年収例>1残業代含まず、2残業20h/月の場合

26歳:1610万円2680万円

29歳:1690万円2770万円

32歳:1790万円2880万円

35歳:1910万円21000万円

40歳:1390万円 ※マネジメント職の場合

労働時間区分:フレックスタイム制

コアタイム:有 10:10〜14:25

標準的な勤務時間帯:8:40〜17:40

休憩:60分

時間外労働:有

※上記は標準労働時間です。

完全週休2日制・会社カレンダーによる

年間有給休暇:10日〜20日(下限日数は、入社半年経過後の日数となります)

土曜、日曜、GW・夏季・年末年始休暇(各10日程度)、その他 年次有給休暇、やすらぎ休暇、リフレッシュ休暇、子の看護休

暇、介護休暇、ボランティア休暇など

通勤手当:有 ※会社規定による

住宅手当:有 ※会社規定による

家族手当:有 福利厚生その他欄参照

健康保険:有

厚生年金:有

雇用保険:有

労災保険:有

寮社宅:有 独身寮、社宅あり

退職金制度:有

定年:60歳

教育制度/資格補助:■OJT中心

■階層別教育、職能別教育、職場別教育、自己啓発支援(資格取得支援制度、社会人大学院派遣制度など)

■選考フロー:

書類選考→1次面接(選考部門担当)→最終面接(役員・人事)→内定

面接回数: 2回

筆記試験: あり