【日進】電動車向けインバータ及び電源機器用次世代パワー半導体材料・デバイス・プロセス研究<ミライズ>

〜先端の車載半導体研究に関わる仕事／尖った技術を持つ個性豊かなメンバー多数／車載半導体グローバルメーカー〜

■業務内容

パワーデバイス材料研究、デバイス開発

・ウェハガス成長法の研究開発

・横型GaN-HEMTのデバイス開発

・α酸化ガリウム半導体研究開発

・β酸化ガリウム半導体研究開発

・ダイヤモンド半導体研究開発

■やりがい

・SiC結晶成長は、他社を凌駕する独自の高速成長を達成しており、日本のSiC開発を牽引している実感を持てます。

・中長期の戦略に基づき、ポストSiCデバイスとして可能性のあるパワー半導体材料・素子を幅広く研究対象にすることが可能です。

・大学や研究機関と共同研究を行っており、アカデミアとの共創で新しい技術開発を行うことができます。

■職場について

◇当職場(SoC研究開発部 探索研究課)はキャリア採用者が7割を超える多様性に富んだ職場となります。

◇探索研究課は、現在実装されているソフトウェアの延長線上の技術ではなく、システム制御に革新を起こすような新規ソフトウェア(アルゴリズム

)の探索とHWに実装した際の課題、効果検証を進めています。

◇現在の車の概念に捕らわれない移動手段の探索も視野に入れて活動しています。

■在籍出向

株式会社デンソーの社員として株式会社ミライズ テクノロジーズに出向頂きます。

∟特徴

1TOYOTAとDENSOから研究開発を請け負っており、100%DENSO社員で構成されています。

2Tier1(車載部品)とTier2(半導体開発)2つの機能を持つDENSOの研究機関、クルマに特化した半導体メーカーです。TOYOTA、DENSOと対等に

コミュニケーションをとり、最上流／最先端の重要なミッションを担っています。

3入社後はDENSO本体への帰任なども可能で、専門性を活かしたキャリア形成が可能です。

※応募者個人情報の第三者提供⇒有

※提供目的⇒当該求人募集は、出向先企業と協力をして実施しておりますので、採用活動実施のために下記提供先に個人情報を提供させていただくこ

とに同意の上、ご応募ください。

※提供先⇒株式会社ミライズテクノロジーズ

・パワー半導体材料またはデバイスに関する知見を有すること(大学卒業レベル)

・半導体の材料開発、エピ成長開発、プロセス開発、製造装置開発、デバイス開発のいずれかの業務経験(3年以上)を有するこ

と

・第一原理計算、T-CADシミュレーション経験

・エピタキシャル成長に関するプロセス・装置開発経験(5年以上)

・ワイドバンドギャップ半導体の研究・開発経験(5年以上)

高等専門学校卒業以上

想定年収:600万円〜1500万円

月給:340,000円〜830,000円

月額(基本給):340,000円〜830,000円

■賞与:年2回(6.3か月分)

■昇給:年1回

<年収例>1残業代含まず、2残業20h/月の場合

26歳:1610万円2680万円

29歳:1690万円2770万円

32歳:1790万円2880万円

35歳:1910万円21000万円

40歳:1390万円 ※マネジメント職の場合

労働時間区分:フレックスタイム制

コアタイム:有 10:10〜14:25

標準的な勤務時間帯:8:40〜17:40

休憩:60分

時間外労働:有

管理職は労働基準法第41条2号にて法律上の労働時間、休憩、休日に関する適用を受けないものとします。

完全週休2日制・会社カレンダーによる

年間有給休暇:10日〜20日(下限日数は、入社半年経過後の日数となります)

土曜、日曜、GW・夏季・年末年始休暇(各10日程度)、その他 年次有給休暇、やすらぎ休暇、リフレッシュ休暇、子の看護休

暇、介護休暇、ボランティア休暇など

通勤手当:有 ※会社規定による

住宅手当:有 ※会社規定による

家族手当:有 福利厚生その他欄参照

健康保険:有

厚生年金:有

雇用保険:有

労災保険:有

寮社宅:有 独身寮、社宅あり

退職金制度:有

定年:60歳

教育制度/資格補助:■OJT中心

■階層別教育、職能別教育、職場別教育、自己啓発支援(資格取得支援制度、社会人大学院派遣制度など)

■選考フロー:

書類選考→1次面接(選考部門担当)→最終面接(役員・人事)→内定

面接回数: 2回

筆記試験: あり