【愛知/豊田】<半導体の研究機関>研究開発(デバイス・プロセス/パワー半導体)／在宅可<ミライズ>

◇◆世界の電動化を支える最先端技術へ―SiC・GaNパワー半導体の中核を担う研究開発ポジションです◆◇

■業務内容

SiC、GaNパワー半導体(SiC-MOSFET、縦型GaN-MOSFET、横型GaN-HEMT)のSiCエピおよびGaNウェハ技術の研究開発をお任せします。

・パワーデバイスの企画、技術動向調査

・デバイスシミュレーション設計、構造設計、レイアウト設計

・プロセスシミュレーション設計、プロセス要素技術開発

・プロセスインテグレーション、工程設計

・試作品のテスト、分析、評価解析

・ウェハ(GaN基板、SiCエピ成長)の技術開発

・加工装置の導入および改造

■魅力

世界トップレベルのSiC・GaNデバイス／プロセス技術を、CAE／CAD設計から試作・評価まで通して習得可能。専用の開発試作ラインで自ら設計した

デバイスを形にし、仮説検証を高速で回せる環境です。社内外の専門家、大学・研究機関、モジュール・インバータ・車両開発部署とも連携し、動化

を通じた地球環境課題の解決に直接貢献できる点も大きなやりがいです。

■組織構成

デバイス企画・設計からプロセス技術開発までを一貫して担う研究開発組織。年齢や役職に関係なく意見を尊重する風土があり、キャリア入社者比率

は約30%。在宅勤務(週1〜2回)も活用しながら、チームで世界に通用する技術創出に挑戦しています。

■在籍出向

株式会社デンソーの社員として株式会社ミライズ テクノロジーズに出向頂きます。

∟特徴

1TOYOTAとDENSOから研究開発を請け負っており、100%DENSO社員で構成されています。

2Tier1(車載部品)とTier2(半導体開発)2つの機能を持つDENSOの研究機関、クルマに特化した半導体メーカーです。TOYOTA、DENSOと対等に

コミュニケーションをとり、最上流／最先端の重要なミッションを担っています。

3入社後はDENSO本体への帰任なども可能で、専門性を活かしたキャリア形成が可能です。

※応募者個人情報の第三者提供⇒有

※提供目的⇒当該求人募集は、出向先企業と協力をして実施しておりますので、採用活動実施のために下記提供先に個人情報を提供させていただくこ

とに同意の上、ご応募ください。

※提供先⇒株式会社ミライズテクノロジーズ

■必須要件:

以下いずれかの経験(研究開発、量産経験は問いません)

・半導体デバイスの設計、評価

・半導体のプロセスインテグレーション、プロセス加工技術の開発

・パワー半導体に関する知識

・プロジェクトマネージャ、リーダまたはサブリーダの経験

※日本語能力検定N1レベル以上目安

#幅広い世代活躍

大学卒業以上

想定年収:600万円〜1250万円

月給:280,000円〜640,000円

月額(基本給):280,000円〜640,000円

■賞与:年2回(6.3か月分)

■昇給:年1回

<年収例>1残業代含まず、2残業20h/月の場合

26歳:1610万円2680万円

29歳:1690万円2770万円

32歳:1790万円2880万円

35歳:1910万円21000万円

40歳:1390万円 ※マネジメント職の場合

労働時間区分:フレックスタイム制

コアタイム:有 10:10〜14:25

標準的な勤務時間帯:8:40〜17:40

休憩:60分

時間外労働:有

完全週休2日制・会社カレンダーによる

年間有給休暇:10日〜20日(下限日数は、入社半年経過後の日数となります)

土曜、日曜、GW・夏季・年末年始休暇(各10日程度)、その他 年次有給休暇、やすらぎ休暇、リフレッシュ休暇、子の看護休

暇、介護休暇、ボランティア休暇など

通勤手当:有 ※会社規定による

住宅手当:有 ※会社規定による

家族手当:有 福利厚生その他欄参照

健康保険:有

厚生年金:有

雇用保険:有

労災保険:有

寮社宅:有 独身寮、社宅あり

退職金制度:有

定年:60歳

教育制度/資格補助:■OJT中心

■階層別教育、職能別教育、職場別教育、自己啓発支援(資格取得支援制度、社会人大学院派遣制度など)

■選考フロー:

書類選考→1次面接(選考部門担当)→最終面接(役員・人事)→内定

面接回数: 2回

筆記試験: あり